W Unii Europejskiej problem wykorzystania nanoelektroniki i nanofotoniki został potraktowany z niezwykła powagą. Utworzone zostały europejskie platformy technologiczne łączące partnerów przemysłowych z ośrodkami badawczymi. Europejska Platforma Technologiczna Nanoelektroniki „European Nanoelectronics Initiative Advisory Council (ENIAC)” opracowała wieloletni program strategiczny rozwoju nanoelektroniki w Europie. Z kolei, Europejska Platforma Technologiczna Fotoniki „Photonics21” wytyczyła na wiele lat kierunki rozwoju nanofotoniki.

W celu implementacji w Unii Europejskiej wspólnych inicjatyw technologicznych w obszarze nanoelektroniki w roku 2008 została utworzona forma partnerstwa publiczno-prywatnego ENIAC Joint Undertaking (ENIAC JU) łącząca ze sobą Komisję Europejską, kraje członkowskie UE ze stowarzyszeniem AENEAS (Association for European NanoElectronics ActivitieS). Celem ENIAC JU jest dalsza miniaturyzacja przyrządów elektronicznych i wzrost ich funkcjonalności w różnych obszarach gospodarki. Członkiem stowarzyszenia AENEAS jest Instytut Technologii Elektronowej. Polska jest reprezentowana zarówno w Radzie Naukowej (Scientific Community Council) ENIAC jak i w Radzie Zarządzającej ENIAC JU.

Dzięki funduszom Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka (POIG) w ostatnich latach znacznie zwiększyły się nakłady inwestycyjne na infrastrukturę badawczo-rozwojową instytucji naukowych w naszym kraju. Wzrosły zatem możliwości polskich zespołów naukowych również w obszarze nanotechnologii elektronicznych i fotonicznych. W referacie zostaną przedstawione przykłady innowacyjnych rozwiązań w obszarze nanotechnologii elektronicznych i  fotonicznych powstałych w krajowych ośrodkach naukowych. Od wielu lat polskie zespoły naukowe są silnie zaangażowane w projekty międzynarodowe w obszarze nanotechnologii elektronicznych i fotonicznych, w tym projekty w ramach 7. Programu Ramowego UE.

• Legal notice:
  

  Copyright (c) Pielaszek Research, all rights reserved.
  The above materials, including auxiliary resources, are subject to Publisher's copyright and the Author(s) intellectual rights. Without limiting Author(s) rights under respective Copyright Transfer Agreement, no part of the above documents may be reproduced without the express written permission of Pielaszek Research, the Publisher. Express permission from the Author(s) is required to use the above materials for academic purposes, such as lectures or scientific presentations.
  In every case, proper references including Author(s) name(s) and URL of this webpage: https://science24.com/paper/23265 must be provided.

1. Strategic Programmes - Tools for Financing Research and Development in Poland
2. Otwarcie konferencji
3. Measurement of distorting magnetic field inside the scanning electron microscope with the use of microscope itself
4. Determination of densities of various dislocation types in GaN – comparison of TEM and improved hot acid etching method
5. TEM study of iridium silicide contact layers for Low Schottky Barrier MOSFETs
6. Transmission Electron Microscopy of Iridium Silicide Contacts for Advanced MOSFET Structures with Schottky Source and Drain